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Opiniões
SDD, capacidad: 512 GB
Interfaz: PCI Express 3.0
Tipo de memoria: V-NAND MLC
NVMe: Si
Componente para: PC
Velocidad de lectura: 3500 MB/s
Velocidad de escritura: 2300 MB/s
Tipo de flash NAND: MLC (Multi Level Cell)
Versi?n NVMe: 1.3
Algoritmos de seguridad soportados: 256-bit AES
Tipo de controlador: Samsung Phoenix
Carriles datos de interfaz PCI Express: x4
Soporte S.M.A.R.T.: Si
Soporte TRIM: Si
Tiempo medio entre fallos: 1500000 h
Opal SSC 2.0: Si
TCG Opal 2.0: Si
Acorde RoHS: Si
Voltaje de operaci?n: 3,3 V
Consumo de energ?a (lectura): 5,2 W
Consumo de energ?a (escritura): 5,2 W
Consumo de potencia DevSlp (modo sue?o): 5 mW
Intervalo de temperatura operativa: 0 - 70 ?C
Intervalo de temperatura de almacenaje: -45 - 85 ?C
Intervalo de humedad relativa para funcionamiento: 5 - 95%
Intervalo de humedad relativa durante almacenaje: 5 - 95%
Vibraci?n no operativa: 20 G
Golpes en funcionamiento: 1500 G
Golpe (fuera de operaci?n): 1500 G
Ancho: 80,2 mm
Profundidad: 2,38 mm
Altura: 22,1 mm
Color del producto: Negro
Fecha de lanzamiento: 4/16/2018
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